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致公党员、电子科技大学研究员梁迪飞荣获国家科技进步二等奖
发布日期:2019-01-11 11:13:29 来源:成都市政协
摘要:1月8日上午,2018年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。

1月8日上午,2018年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。习近平、李克强、王沪宁、韩正等党和国家领导人出席大会并为获奖代表颁奖。致公党党员、电子科技大学研究员梁迪飞作为第二完成人参与的“高磁导率磁性基板关键技术及产业化”项目荣获国家科学技术进步二等奖。

该项目掌握了磁性基板集成应用的设计方法,实现了基板材料环保低成本批量生产工艺,突破了系统集成、关键指标等多项关键技术瓶颈,并面向国家电子信息产业发展急需,在多个方面实现了创新和突破,达到国内领先、国际先进水平,打破了国外技术和市场垄断,实现产业化。相关成果已在魅族、华为、小米、安费诺等国内外知名企业应用,产品销往美国、欧洲、日本、印度等数十个国家及地区。

【人物简介】

梁迪飞,男,汉族,1967年10月出生,致公党员,致公党电子科技大学支部副主委,电子科技大学微电子与固体电子学院研究员。现任国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心工程部部长,国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心成果转化基地成都佳驰电子科技有限公司总经理。

梁迪飞长期以来围绕国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心的成果转换及工程应用开展研究,2008年获国家科技进步二等奖1项,2015年获教育部科技进步二等奖1项,2017年四川省科技进步一等奖1项,2018年获国家科技进步二等奖1项。发表相关论文40多篇,申请发明专利30多项,获授权发明专利10多项。(致公党成都市委)

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